1. 프로그램 목적
- 창의융합형 차세대반도체 전문가 양성을 위한 기초 및 심화 지식 배양
- 반도체 전공정/후공정에 대한 교육을 통한실무 기초역량 배양
- 컨소시엄 대학 학생들의 반도체 분야 흥미 및 교육수요에 기반하여 교육 제공
- 차세대 반도체 기술에 대한 이해 및 기술의 확산
2. 세부 사항
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교육기간 |
이론 : 2025년 2월 3일(월) ∼ 2월 10일(월) (46H 교육) 실습 : 2025년 2월 8일(토) ∼ 2월 9일(일) (16H 교육) |
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교육장소 |
이론 : 명지대학교 3공학관 19106호 실습 : 명지대학교 3공학관 19035호 (반도체 Feb) |
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주 최 |
차세대반도체 컨소시엄 (인하대, 명지대, 공주대) |
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주 관 |
명지대학교 공학교육혁신센터 |
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후 원 |
산업통상자원부, 한국산업기술진흥원 |
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대 상 |
차세대반도체 컨소시엄 3개 참여대학 공학계열 2∼4학년 재학생 |
3. 참가 신청
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신청기한 |
∼ 2025년 1월 23일(목) 자정까지 (기한 이후 서버가 닫히므로 반드시 기한내 신청해야 함) |
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참가신청 |
차세대 반도체 컨소시엄 홈페이지 신청 (http://ngscc,kr/신청및설문조사/신청서 – 프로그램에서 차세대반도체 컨소시엄 하반기 반도체 장·단기 교육 신청) |
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모집인원 |
공학계열 학생 10명 (전체 26명) |
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모집대상 |
공과대학생 2,3,4학년 (반도체 관련 유관학과(전기,전자,반도체,신소재,화공,기계) 우대) |
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유의사항 |
- 참가인원 초과시 신청서를 검토하여 인원을 선발할 예정 |
4. 주요 내용 및 혜택
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교육내용 |
- 반도체 입문, 소자/공정 기초교육 + 전/후공정기술 심화교육 - 반도체 Feb 견학 및 공정 체험/실습 교육 |
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혜 택 |
- 80%이상 출석 우수자, 컨소시엄 단장 명의의 수료증 발급 |
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참 가 자 지원사항 |
- 교육비, 숙박비 : 공학교육혁신센터에서 지원 (숙박장소 : 명지대학교 기숙사) - 식비 및 교통비 : 참가자 개별 부담 |
5. 세부일정
가. 이론교육 (장기교육)
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구분/일시 |
분류 |
세부내용 |
진행방식 |
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2.3(월) 10:00∼17:00 |
반도체 일반 |
- 메모리 VS 파운드리 반도체 산업 - 삼성전자, SK하이닉스 주요제품 - Vaiue Chain과 기업 유형 - 반도체 제품별 분류 - 미래 반도체 동향 |
대면 (박진요 교수) |
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2.4(화) 09:00∼18:00 |
반도체 소자 |
- 소자의 4가지 기본이론 - Diode, BJT, MOSFET 정리 - MOSFET 정의, 소자, Ideal MOS Capacitor - Short Channel effect 및 주요 ISSUE - FET 구조와 BJT - 트랜지스터 응용, 실제 소자 제작 및 구성 - DRAM, SRAM, Flash Memory |
대면 (민경진 교수) |
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2.5(수) 09:00∼18:00 |
MI (Measurement & Inspection) |
- MI (Measurement & Inspection) 개요 - 반도체 계측 - SEM과 TEM의 원리, SEM – EDX 원리 - XRD, RAMAN 원리 |
대면 (윤주병 교수) |
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2.6(목) 09:00∼18:00 |
반도체 전공정기술 1 |
- Wafer Fabrication - Diffusion 이해 - Thin Film Process 이해 - PVD(Physical Vaper Deposition) 이해 및 공정 - CVD(Chemical Vaper Deposition)이해 및 공정 |
대면 (홍진기 교수) |
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2.7(금) 09:00∼18:00 |
반도체 전공정기술 2 |
- Photolithography의 기초 - EUV 등 주요 공정 기법 - Photolithography 설비와 구성 요소 - Next Generation Photolithography - Etch Process - Dry Etch 및 Wet Etch 이해 및 설비 - Plasma 기초, 형성 방법 - Cleaning Chemical (SC1, Zeta, Potentail, DHF 등) |
대면 (박진요 교수) |
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2.10(월) 09:00∼18:00 |
반도체 후공정기술 |
- EDS Test(Wafer Test) - Packaging 공정 - Final Test - HBM (High Bandwidth Memory) 개요 - TSV (Through Silicon Via) 기술 - 범프 공정기술 (MR-MUF, TC0NCF, 하이브리드 본딩) - TSV 적용 패키징 기술(2.5D, 3D) |
대면 (박진요 교수) |
나. 실습교육 (단기교육)
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구분/일시 |
분류 |
세부내용 |
진행방식 |
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2.8(토) 09:00∼18:00 |
반도체 Feb 견학 및 반도체공정장비 실습을 통한 기초 엔지니어 능력 배양 |
09:00∼10:00 |
Intro + Eco FAB tour |
대면 (하태민 교수) |
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10:00∼12:00 |
Process FAB in + Wet cleaning + Microscope inspection |
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13:00∼15:00 |
Deposition (Sputter + Plasma) + Microscope inspection |
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15:00∼16:30 |
Photolithography + Microscope inspection |
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2.9(일) 09:00∼18:00 |
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16:30∼17:30 |
Wet etch + PR strip + Microscope inspection |
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17:30∼18:00 |
Process FAB out + Summary |
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※ 실습교육은 13명씩 2개 그룹으로 나누어 각 1일씩 교육함
6. 문의 : 공학교육혁신센터 031-330-6326, 6355
2025. 1.
공학교육혁신센터장